СЧ ОКР «Моделирование условий эпитаксиального роста макетных образцов А3N гетероструктур на подложках кремния и карбида кремния для GaN транзисторов»
РегионСанкт-Петербург
ЗаказчикФедеральное Государственное Бюджетное Учреждение Науки Научно-технологический Центр Микроэлектроники И Субмикронных Гетероструктур Российской Академии Наук
Подача заявокСрок подачи не указан
Тендем обновлял карточку
1 600 000 ₽
Срок не указан
О закупке
Закупка у единственного поставщика (исполнителя, подрядчика), участниками которого могут быть только субъекты малого и среднего предпринимательства
Лоты
- СЧ ОКР «Моделирование условий эпитаксиального роста макетных образцов А3N гетероструктур на подложках кремния и карбида кремния для GaN транзисторов»Цена не указана
Контакты заказчика
Реквизиты
- Реестровый номер
- 32615776999
- ИНН заказчика
- 7802030940
- Адрес
- 194021, г Санкт-Петербург, ул Политехническая, дом 26, корпус з, офис (квартира) 608
- Подача заявок
- не указано источником
- Опубликовано
- 06.03.2026, 11:18 МСК
- Закон
- 223-ФЗ
- Способ закупки
- Закупка у единственного поставщика (исполнителя, подрядчика), участниками которого могут быть только субъекты малого и среднего предпринимательства
- СМП/СОНКО
- Да
- Аванс
- не предусмотрен
- Обеспечение заявки
- не указано источником